本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫；一导电层，设置于该第二基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分；一开口，自该上半导体层朝该下半导体层延伸并延伸进入该下半导体层；以及一保护层，设置于该上半导体层及该导电层之上，其中该保护层延伸至该开口的部分侧壁上，且不覆盖该开口中的该下半导体层。