本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵（105）。源漏应变源（106）的晶格常数比源漏极区（101）大，形成对沟道区的应变，该应变在yz平面内为双轴张应变，在x方向为单轴压应变。这种应变有利于GeSn沟道Γ点下移，使间接带隙结构利于转化为直接带隙结构，Γ点参与导电的电子数目大大增加，从而提高MOSFET性能。