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碳化硅半导体器件
编号:S000019471 刷新日期: 有效日期至:2020-09-30 浏览:2303 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
碳化硅层外延形成在衬底(1)的主表面上。该碳化硅层设置有沟槽,该沟槽具有相对于主表面倾斜的侧壁(6)。侧壁(6)相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角。栅极绝缘膜(8)设置在碳化硅层的侧壁(6)上。碳化硅层包括:体区(3),其具有第一导电类型,并且面对栅电极(9)且其间插入栅极绝缘膜(8);以及一对区域(2、4),其通过体区(3)彼此分开并具有第二导电类型。体区(3)具有5×1016cm-3或更大的杂质密度。这使得在设定阈值电压时具有更大的自由度,同时能够抑制沟道迁移率的降低。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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