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半导体装置的制造方法
编号:S000019469 刷新日期: 有效日期至:2020-10-24 浏览:2444 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明使由阻挡金属膜和铝电极膜构成的层叠电极的前端区域为单层的阻挡金属电极,用剥离法形成在并列的阻挡金属电极间电连接的电阻器。从而提供在形成带有膜厚较薄的电阻器的电阻元件时针对电阻器的断线而言较强的电阻元件。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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