本发明涉及制造可抑制容量值的施加电场依赖性上升及电介质膜的初始缺陷这两者的双层多晶硅电容元件。该双层多晶硅电容元件包含：注入有磷离子的下部电极；形成在下部电极上的电介质膜；以及形成在该电介质膜上的上部电极，电介质膜包含将用来形成下部电极的多晶硅膜的一部分氧化而形成的表层部被蚀刻掉的热氧化膜以及形成在热氧化膜上的沉积氧化膜。