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半导体装置、半导体装置的制造方法
编号:S000019468 刷新日期: 有效日期至:2020-10-10 浏览:2251 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及制造可抑制容量值的施加电场依赖性上升及电介质膜的初始缺陷这两者的双层多晶硅电容元件。该双层多晶硅电容元件包含:注入有磷离子的下部电极;形成在下部电极上的电介质膜;以及形成在该电介质膜上的上部电极,电介质膜包含将用来形成下部电极的多晶硅膜的一部分氧化而形成的表层部被蚀刻掉的热氧化膜以及形成在热氧化膜上的沉积氧化膜。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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