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功率半导体装置
编号:S000019467 刷新日期: 有效日期至:2020-11-21 浏览:2556 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
提供一绝缘栅双极装置(1),其在发射极侧(22)上的发射极电极(2)和的集电极侧(27)上的集电极电极(25)之间具有按如下顺序的不同导电型的层:第一导电型的源极区(3),与接触区域(24)中的发射极电极(2)接触的第二导电型的基极层(4),第一导电型的增强层(8),具有补偿层厚度tp(92)的第二导电型的浮动补偿层(9),具有比增强层(8)低的掺杂浓度的第一导电型的漂移层(5),和第二导电型的集电极层(6)。补偿层(9)设置在增强层(8)和漂移层(5)之间的接触区域(24)的投影中,从而在增强层(8)和漂移层(5)之间保持沟道。增强层(8)具有增强层厚度tn(82),其在与补偿层厚度(92)相同的平面内测量,且应用如下规则:Nptp=kNntn,其中Nn和Np分别是增强层和补偿层的掺杂浓度,以及k是在0.67和1.5之间的因子。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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