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可变电阻元件的成型处理方法和非易失性半导体存储装置
编号:S000019456 刷新日期: 有效日期至:2020-12-23 浏览:2416 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及可变电阻元件的成型处理方法和非易失性半导体存储装置。提供了一种能在与脉冲成型相同程度的短时间内将切换动作时的重写电流抑制为DC成型中所达到的重写电流程度的可变电阻元件的成型处理方法。向可变电阻元件施加电压脉冲使处于刚制造之后的初始高电阻状态的可变电阻元件向能进行切换动作的可变电阻状态变化的成型处理包含以下步骤而形成:第一步骤,在可变电阻元件的两电极间施加电压振幅比可变电阻元件进行低电阻化的阈值电压低的第一脉冲;以及第二步骤,在第一步骤之后,在可变电阻元件的两电极间施加与该第一脉冲相同极性且电压振幅在阈值电压以上的第二脉冲。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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