本发明提供了减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法、MOS器件制造方法以及MOS器件。本发明的栅极侧墙刻蚀形成包括：栅极侧墙薄膜形成步骤，用于在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜；光刻胶涂覆步骤，用于将光刻胶涂覆在栅极上以覆盖栅极的一个侧壁并露出栅极的另一侧壁；第一侧壁刻蚀步骤，用于利用光刻胶对露出的栅极的另一侧壁进行刻蚀；光刻胶去除步骤，用于去除光刻胶；以及第二侧壁刻蚀步骤，用于在去除光刻胶之后对栅极侧墙薄膜进行刻蚀，其中除了栅极侧壁上的栅极侧墙薄膜之外的其它的栅极侧墙薄膜被去除。