本发明涉及旨在使镍或钴在半导体衬底的空腔中沉积的试剂盒，所述空腔旨在形成用于制造三维集成电路中的互连线的硅通孔（TSV）。本发明还涉及使此类衬底的绝缘表面金属化的方法，该方法包括使所述表面与液态水溶液接触，该液态水溶液含有：镍或钴的至少一种金属盐；至少一种还原剂；至少一种具有胺官能团的聚合物；以及至少一种金属离子稳定剂。所获得的镍层或钴层的台阶覆盖率可大于80%，从而有利于随后通过电沉积用铜对通孔进行填充。