具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由衬底、经(NH₄)₂S溶液钝化处理的光敏感宽禁带氧化物半导体薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：首先采用溶胶凝胶法制备TiO₂等薄膜层，然后将制备好的薄膜进行硫化铵溶液钝化处理，最后采用光刻、磁控溅射、刻蚀等工艺制备金属叉指电极，从而得到紫外探测器。经过硫化铵溶液钝化处理的TiO₂等薄膜表面态密度减小，溅射金属叉指电极后TiO₂与金属接触的肖特基势垒降低，改善了光电流和响应时间；另一方面表面电荷的减少抑制了表面漏电流，改善了暗电流，最终提高了器件的整体性能。