本发明公开了一种p型Cu_xS_y半导体纳米晶、制备方法及其应用，属于纳米材料制备和应用领域。所述纳米晶Cu_xS_y的x/y=1.8，形状为球形，粒径为6~12nm；所述方法包括制备铜源、制备硫源、将铜源注入到硫源中加热反应得到胶体溶液，通过清洗和离心沉降得到所述纳米晶；所述纳米晶的晶相单一、分散性良好、尺寸和形貌可控，在整个近红外光区都有较强的吸收，吸收峰在1100-1500nm；且具有良好的导电性，较高的载流子迁移率、良好耐高温性和稳定性。所述方法产率高，可进行大规模的生产。将所述纳米晶应用于薄膜太阳能电池器件中的空穴传输层，可以显著提高空穴传输层的传输能力。