本发明公开了一种存储器装置的侧壁间隔物的制造方法及半导体装置。该侧壁间隔物形成于具有一存储器阵列区及至少一外围电路区的一存储器装置，该方法包含形成邻近于存储器阵列区的字线的一第一间隔物及形成邻近于外围电路区的晶体管的一第二间隔物。第一间隔物具有第一宽度，而第二间隔物具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。本发明可以降低存储器装置的侧壁间隔物的制造成本。