本发明的一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法涉及室温下气液相化学沉积制备纳米材料的技术领域。首先将乙酸铟、乙酸铕、巯基乙醇和去离子水配制成待反应液；其次将待反应液放入密封反应室，缓慢通入过量H₂S气体得到沉积溶液；最后微波加热沉积溶液再去离子水和乙醇离心清洗。本发明方法制得的In₂S₃:Eu³⁺纳米颗粒具有较高的室温饱和磁化强度，饱和磁化强度能由铕掺杂含量和充入H₂S气体快慢得到控制；实验条件稳定易于操作，重复性好，便于规模化生产。