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相移电控制DFB半导体激光器装置及其制作方法
编号:S000019361 刷新日期: 有效日期至:2020-10-11 浏览:2388 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种相移电控制DFB半导体激光器装置,由两个侧边区和位于两个侧边区之间的一个相移区组成,沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅,两个侧边区的电极用导线连接在一起,且两个侧边区的电极与一个相移区的电极相隔离。通过改变侧边区、相移区注入电流以控制引入相移大小,来精细调节激光器的激射波长。在激光器工作电流保持不变的条件下,改变侧边区、相移区注入电流的比例就能改变引入相移的大小。在引入相移大小合适的情况下,既保证了激光器单模激射的实现,也使得结构相似的DFB激光器有相近的域值和激射特性。给激光器阵列产生激光的调制、耦合和传输带来了很大的方便,在光子集成发射芯片模块的研制中有很大的优越性。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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