本发明的一种测算半导体器件井区注入离子横向扩散能力的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试模块，所述模块上的活动区包括由浅沟道隔离隔开的P井区和N井区；步骤2，模拟制程结构，设置井区的钨连接孔；步骤3，进行离子注入，所述P井区或N井区只注入第一道离子；步骤4，对测试模块进行扫描，得到钨连接孔的明暗图。本发明为半导体器件的井区优化提供参考，为良率提升提供了保障，且方法简便易行。