本发明公开了一种高压功率半导体器件的结终端制造方法及专用刀具，属于半导体开关器件制造工艺技术领域。所述制造方法主要包括以下步骤：一、用通用方法在PN结的两面做好双面金属电极；二、使用专用刀具研磨结终端；三、对结终端的外表面进行处理；四、形成保护层。所述方法是采用具有一定角度的专用刀具，对硅片进行研磨切割，得到具有特定角度造型的结终端，之后对该结终端进行腐蚀抛光、表面涂胶钝化即可完成造型。工艺步骤简单，由于使用专用刀具能够加工较小芯片面积的结终端，并且成品率高，从而降低了制造成本。