本发明公开了一种带有非吸收窗口的大功率半导体激光器，非吸收窗口位于激光器的脊型或者条形上方，且非吸收窗口分布在激光器腔面两端，呈半柱形结构分布，其平面部分即为激光器的出光腔面，其弧面部分位于激光器的腔长内部；非吸收窗口的深度应超过激光器有源区的上波导层；脊型波导结构中，非吸收窗口的直径大于等于1微米、且小于20微米；或者条形激光器结构中，非吸收窗口的直径大于等于3微米、且小于900微米。本发明的激光器，大大增加激光器的光学灾变损伤阈值，有效提高激光器的输出功率，有效减小杂质能级引起的光吸收，提升激光器的最大输出功率，工艺简单易行，具有规模化生产特征。