本发明公开了一种使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，刻蚀需形成金属硅化物区域上的二次侧墙薄膜层，以在所述需形成金属硅化物区域上的栅极结构侧壁形成二次侧墙，直接利用二次侧墙作为自对准金属硅化物阻挡层，在暴露出的源/漏区和栅极结构上形成金属硅化物层，从而简化了工艺步骤；进一步的，形成金属硅化物层之后去除二次侧墙，采用应力邻近效应技术，使得CESL应力层更加邻近沟道，有利于提到器件的性能；此外，本发明的一次侧墙和二次侧墙均采用无定形碳，在去除一次侧墙和二次侧墙的时候可以采用灰化工艺，方便去除。