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> 技术详情
一种超高压BCD半导体工艺以及超高压BCD器件
编号:S000019309
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-23
浏览:
2442
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供了一种超高压BCD工艺,该超高压BCD工艺可实现多种半导体器件的集成,超高压BCD器件包括:做在N型外延上的高压LDMOS、高压浮动盆结构、低压PMOS管、低压NMOS管、低压VNPN管、VDNMOS、齐纳二极管、低压NLDMOS、LPNP以及对称的漏极延伸EDPMOS,该工艺具有N型埋层,N型埋层贯穿P型衬底以及N型外延,高低压结构之间形成有PN结对通隔离结构。本发明提供的高压BCD工艺集成了多种电压水平的器件,并且其中的高压浮动盆结构,能够为桥式电路的应用提供工艺平台支持。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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