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基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器
编号:S000019306 刷新日期: 有效日期至:2020-11-08 浏览:2615 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器,包括:一缓冲层;一下波导层,该下波导层制作在缓冲层上;一多量子阱有源层,该多量子阱有源层制作在下包层上;一光栅层,该光栅层制作在多量子阱有源层上;一上波导层,该上波导层制作在光栅层上;一包层,该包层制作在上波导层上;一接触层,该接触层制作在包层上;一P电极,该P电极制作在接触层上;一N电极,该N电极制作在缓冲层的背面。本发明可以克服外部反射光对激光器内部的影响,压窄激光线宽,增加激光器的频率稳定性和增大输出功率的效果。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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