本发明提供了一种基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的基于硅烷的二氧化硅膜形成方法包括：第一步骤：将晶圆放入在反应腔中；第二步骤：通过第一管路通入气体SiH₄，通入第二管路通入气体N₂O；第三步骤：启动射频能量；第四步骤：关闭第一管路中气体SiH₄；第五步骤：在关闭第一管路中气体SiH₄之后关闭射频能量；其中，在所述第五步骤中在关闭第一管路中气体SiH₄之后关闭射频能量的延迟时间为5秒。本发明优化后的基于硅烷的二氧化硅膜形成方法，彻底消除了晶圆边缘特殊图形的团聚物颗粒，有效解决产品中的晶圆边缘特殊图形的团聚物颗粒问题，提高了产品的良率。