本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的⁶LiF转换膜制备方法，主要包含以下步骤：将单晶4H-SiC基体分别浸没于丙酮、无水乙醇中进行超声波清洗；采用偏压反溅射清洗去除单晶4H-SiC基体中杂质，采用预溅射清洗去除⁶LiF靶材的杂质；以⁶LiF靶材作为磁控靶在单晶4H-SiC基体上溅射沉积⁶LiF涂层；溅射清洗和溅射沉积均以氩气为起辉气体；磁控溅射沉积⁶LiF涂层达设计厚度，反应磁控溅射镀膜真空炉内的真空度调整至不低于10^-3Pa自然冷却后出炉，即得到在4H-SiC基体上沉积的⁶LiF涂层转换膜。本发明得到的4H-SiC/⁶LiF转换膜层，具有较体积小、探测效率高、耐辐照损伤、耐高温以及n/γ甄别能力强等优点，制备工艺操作简单，且厚度可控。