本发明涉及一种半导体发光DA（Direct Attach直接贴焊）共晶晶片的制造方法，包括：对透明体衬底的正面和背面都进行图形化处理；在图像化处理后的透明体衬底上进行外延生长（EPI：Epitaxy）得到外延片；对得到的外延片进行前段工序，在前段工序中对外延片进行金属光刻，用光刻胶在外延片上形成电极图形，以及对外延片进行金属蒸镀，沉积Cr，Ni，Au，Ti，Sn后最外层为AuSn合金层，得到具有电极的外延片；然后对外延片进行倒模处理；对倒膜处理后的外延片进行激光切割得到半导体发光共晶晶片。本发明省去了很多传统工序，在产品的稳定性，信赖性，可靠性等方面和传统MTBF指标方面都会提高10倍以上，是半导体发光产品家用化和高品质规模化生产的最基本的基础保证。