一种可变带隙的Fe-B-Si三元半导体非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜材料具有如下通式：Fe₃B₁Si_x，x为4.8~18；随着x从4.8增加到18，带隙宽度从0.66eV减小到0.60eV，薄膜结构均为非晶态。该薄膜有如下优点：①增加第三组元B会显著提高薄膜的非晶形成能力，并使薄膜在很大的成分区间内呈现半导体性能，带隙宽度可以在一定范围内变化；②只要改变组合溅射靶中Fe₃B₁合金片的个数，就能改变薄膜中Si的含量，进而获得不同的带隙宽度；③Fe₃B₁Si_x薄膜均为非晶态，能够保证成分和性能均匀，有效回避晶态薄膜制备中的晶格失配以及多相混杂等问题。适宜制造近红外探测器等窄带隙半导体器件。