本发明属于电子器件领域，具体涉及一种采用激光退火的工艺得到的金属氧化物薄膜，及其在TFT中和OLED器件中的应用。本发明所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，包括（1）制备以ZnO为基础并加入其他金属元素形成的金属氧化物薄膜；（2）将步骤（1）中得到的金属氧化物薄膜在含氧气氛下进行激光退火程序3-6min，形成所需的金属氧化物半导体薄膜。本发明所述的薄膜的半导体性能，如迁移率和阈值电压的稳定性大幅提高，因此相比传统的使用高温退火炉退火的方式效率更高，且稳定性更好。