本发明提供了一种能降低邻近字线影响的半导体器件，包括有：基底；第一字线，设置在基底中，及漏极/源极掺杂区，设置在第一字线两侧的基底中，其中第一字线具有第一栅极沟渠，设置在基底中；第一栅极电极，设置在第一栅极沟渠内；第一栅极介电层，设置在第一栅极电极和基底之间；及至少一个第一电荷捕捉层，邻近第一栅极电极。