本发明提出了一种形成在半导体衬底上的场效应管，栅极、源极和漏极区形成在半导体衬底上，所述的栅极区具有一个横向栅极通道。多个空间分离的沟槽都带有一个导电插头，并与所述的栅极、源极和漏极区电连接，所述的沟槽从所述的半导体衬底表面开始，延伸到可控的深度。沟槽接头将源极区和本体区短接。源极接头与所述的源极区电连接，漏极接头与所述的漏极区电连接，所述的源极和漏极接头设置在所述的栅极通道对边上。