本发明公开了一种使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，本发明的使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，形成应力层后并不全部去除，而是选择性刻蚀需形成金属硅化物区域上的应力层，以在所述需形成金属硅化物区域上的栅极结构侧壁形成侧墙，直接利用侧墙作为自对准金属硅化物阻挡层，在暴露出的源/漏区和栅极结构上形成金属硅化物层，从而简化了工艺步骤；进一步的，形成金属硅化物层之后去除侧墙，采用应力邻近效应技术，使得CESL应力层更加邻近沟道，有利于提高器件的性能。