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一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法
编号:S000032877 刷新日期: 有效日期至:2020-12-05 浏览:2464 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法,采用离子束辅助磁控溅射技术,以硼原子的掺杂量为0.02~0.2at%的硼掺杂单晶硅作为磁控溅射靶材进行溅射,本底真空度为10?4~10?5Pa,射频功率为100~300W,溅射气体为氩气和氢气的混合气体,溅射气体总气压为0.1~0.5Pa,衬底温度为100~400℃,以高纯氩气作为辅助离子源形成氩辅助离子束,氩辅助离子束的能量为100~800eV,束流为5~30mA,在衬底的表面溅射沉积形成薄膜的同时氩辅助离子束撞击薄膜表面,得到低硼掺杂下高电导率a-Si:H氢化非晶硅薄膜;本发明制备工艺简单,成本低,适合大规模工业化生产;采用本发明方法制备的低硼掺杂的a-Si:H薄膜具有高电导率及较好的结构特性,满足硅基薄膜太阳电池窗口层材料的要求,有利于提高太阳电池性能。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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