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半导体装置及其制造方法
编号:S000019125 刷新日期: 有效日期至:2020-11-26 浏览:2475 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
防止高频特性的恶化,提高耐湿性。在半导体衬底(1)的主表面上的元件区域内,设置有漏极电极(2)。一端和漏极电极连接的漏极布线(5)设置于主表面上。在主表面上的元件区域外,设置有和漏极布线分离的漏极电极垫(12)。Au镀层(9)设置于主表面上,在和主表面之间形成空隙(10)。空隙内包漏极布线的一端和漏极电极。已固化的聚酰亚胺膜(14)阻塞空隙的开口部(11),覆盖漏极布线的另一端,而不覆盖漏极电极垫。在空隙的内表面设置有拒液膜(15)。经由在已固化的聚酰亚胺膜(14)设置的开口(16),通过Au镀层(18),漏极布线的另一端和漏极电极垫连接。漏极布线的另一端不从聚酰亚胺膜露出。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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