本发明涉及半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：在半导体基板之上形成用于在多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模的步骤，其中在所述半导体基板上依次层叠变为第一绝缘膜的部件、与变为第一绝缘膜的部件不同的变为第二绝缘膜的部件、变为第三绝缘膜的部件、以及与变为第三绝缘膜的部件不同的变为第四绝缘膜的部件；第一步骤，在与所述掩模的开口对应的部分处连续地去除变为第四绝缘膜的部件和变为第三绝缘膜的部件；以及第二步骤，在第一步骤之后，在与所述掩模的开口对应的部分处去除变为第二绝缘膜的部件。