一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有隔离层；形成贯穿所述隔离层厚度的开口；在所述开口内形成第一子鳍部，所述第一子鳍部中包含掺杂离子，且所述第一子鳍部表面低于隔离层表面；在所述开口内形成第二子鳍部，所述第二子鳍部位于所述第一子鳍部表面。相应的，发明人还提供了一种鳍式场效应管的形成方法，形成的半导体器件和鳍式场效应管的漏电流小，器件性能稳定。