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> 技术详情
一种功率半导体芯片栅电阻
编号:S000019096
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-30
浏览:
2777
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 湖南
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种功率半导体芯片栅电阻,所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内,所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间,所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内,且所述栅极圈包围所述主栅极区,所述栅电阻至少包括两个分电阻,每个所述分电阻的一端连接所述主栅极区,另一端连接所述栅极圈。由于该栅电阻由至少两个分电阻并联,当其中一个分电阻发生损坏,其他分电阻仍能够正常工作,在主栅极区和栅极圈之间传递信号。因此,该栅电阻避免了现有技术中的由于单个电阻串联带来的由于电阻损坏,芯片就面临损坏的风险。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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