本发明提供了呈现出改善的光提取性能的III族氮化物半导体发光器件。在制造方法中，在30kPa压力和1.5×10²⁰/cm³的Mg浓度下通过MOCVD法在发光层上形成p-AlGaN的p覆盖层。在具有III族元素极性的晶体中形成具有氮极性的多个区域，从而p覆盖层在其表面上具有六角形柱状凹凸形状。随后，通过MOCVD方法在p覆盖层上沿着该凹凸形状以膜的形式形成GaN的p接触层。