本发明公开了一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料，化学式组成为：La_1-xSr_xCu_1-yMn_ySO。本发明还公开了该镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料的制备方法，将原料混合，在氩气保护下充分研磨，然后在一定的压强下冲压；将得到的压片密封在真空容器内，放在管式炉中升温，再恒温煅烧，即得到镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料。本发明采用Mn²⁺替代Cu⁺的方法引入磁矩，然后用Sr部分替代La引入空穴型载流子，通过以上掺杂可以很好的控制该半导体的导电性和磁性，获得了居里温度更高的ZrCuSiAs型结构的稀磁半导体，该稀磁半导体材料具有很高铁磁转变温度，居里温度T_C提高到199K，且不含有As等剧毒元素。