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一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法
编号:S000019032 刷新日期: 有效日期至:2020-10-09 浏览:2419 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明意义在于在保证半导体激光器输出功率不变的情况下,提高光学灾变阈值,降低激光器退化速率,延长激光器使用寿命。此方法先在真空解理机中把半导体激光器芯片解理成Ba条,此过程通入高纯氮气作为保护气体,使整个解理过程处在高纯氮气的氛围中,减少解理后新鲜腔面悬挂键。解理后,迅速把激光器芯片Bar条放入真空镀膜机,用氮离子进行腔面深度钝化,形成GaN钝化层,再用氢离子去除氮钝化生成无用杂质。在半导体激光器形成GaN钝化层后在前后腔面分别进行增透膜和高反膜镀制。此技术方案可应用于各类大功率半导体激光器制造。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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