本发明公开光掩模对位方法、光掩模以及相关的半导体装置。根据所公开的光掩模对位技术，在一半导体装置的一第一制作层上生成多种对位标记设计所对应的多个测试标记以及多个前层对位标记；生成所述多个测试标记的多个测试图样各自具有一第一子图样以及一第二子图样。所述第一子图样与生成对应的前层对位标记的前层对位图样具有同样设计。基于所述多个测试标记，上述多种对位标记设计的效能可受评比。具有最佳效能的对位标记设计所对应的前层对位标记将被视为该半导体装置一第二制作层的光掩模的对位参考。