本发明提出一种半导体栅结构及其形成方法，其中，该方法包括：提供以Ge层为表面的衬底；在Ge层之上形成Sn层，其中，Ge与Sn层之间的界面为GeSn层；去除Sn层以暴露GeSn层；对GeSn层进行钝化处理以形成GeSnN或GeSnON钝化层；以及在钝化层之上形成栅堆叠结构。本发明能够提高Ge基上栅堆叠结构的电学性能，例如低界面陷阱密度和极低的栅泄露电流密度，具有简便易行、成本低的优点。