本发明涉及一种半导体器件及其制造方法以及电源装置。一种半导体器件，包括：设置在栅电极3和栅极绝缘膜2之间或者设置在含Al欧姆电极4和5与Au互连9之间并且在栅电极3之下和含Al欧姆电极4和5之上的电极材料扩散抑制层6，电极材料扩散抑制层6具有其中依次堆叠第一TaN层6A、Ta层6B和第二TaN层6C的结构。