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具有应力保护结构的半导体结构与其形成方法
编号:S000018955
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-07
浏览:
2423
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种具有应力保护结构的半导体结构,包括有基底、应力产生元件以及应力保护装置。基底具有第一表面以及第二表面,两个相对设置。应力产生元件设置在基底中。应力保护结构,设置在基底第一表面的一侧,应力保护结构包围应力产生元件,且应力保护结构内部具有密封的空气空间。本发明还提供了一种形成具有应力保护结构的半导体结构的方法。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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