您当前的位置:首页 > 供应列表 > 技术详情
具有应力保护结构的半导体结构与其形成方法
编号:S000018955 刷新日期: 有效日期至:2020-11-07 浏览:2025 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种具有应力保护结构的半导体结构,包括有基底、应力产生元件以及应力保护装置。基底具有第一表面以及第二表面,两个相对设置。应力产生元件设置在基底中。应力保护结构,设置在基底第一表面的一侧,应力保护结构包围应力产生元件,且应力保护结构内部具有密封的空气空间。本发明还提供了一种形成具有应力保护结构的半导体结构的方法。
分享到:
联系方式
在线QQ: 点击这里
机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
相似供应