本发明公开一种半导体元件及其制造方法。在基板上形成栅极。在栅极上方或下方形成源极与漏极。形成第一绝缘层，以覆盖源极与漏极。在源极与漏极之间形成半导体层。图案化第一绝缘层，以至少覆盖漏极。在图案化第一绝缘层上形成第二绝缘层。对第二绝缘层进行蚀刻制作工艺，以形成暴露出图案化第一绝缘层且位于漏极上方的第二开口，其中第二绝缘层/图案化第一绝缘层的蚀刻选择比大于1。经由第二开口，对图案化第一绝缘层进行湿式蚀刻制作工艺，以形成与第二开口连通且暴露出漏极的第一开口。形成经由第一开口及第二开口与漏极电连接的像素电极。