本发明公开了一种合成半导体Mn掺杂ZnTe半导体的制备方法及产物，通过采用混合溶剂热法合成了Mn掺杂ZnTe半导体，Mn掺杂量介于3at.%～15at.%。本发明方法具有实验设备简单，制备方法简便，实验条件容易控制的特点；本发明方法合成的Mn掺杂ZnTe半导体为纳米颗粒，具有闪锌矿结构，在27℃仍含有铁磁性，即含有室温铁磁性。