本发明提供了一种半导体硅片脱胶工艺，包括以下步骤：1）将切割完毕的单晶硅棒倒置在装有特定夹具的中转车内；2）鼓泡预清洗，即将单晶硅片放置在装满自来水的槽中利用鼓泡管进行预清洗，以去除硅片表面砂浆；3）使用温水对硅片进行喷淋；4）对硅片进行超声预清洗，即在将经过喷淋的单晶硅片放置在超声温水中进行浸泡，以去除硅片缝隙的砂浆；5）使用温水浸泡脱胶，6）温水鼓泡，将单晶硅片与粘接条之间脱离；7）温水取片，即将脱离的硅片放置在温水中，擦拭硅片立面残留胶。上述工艺克服了现有脱胶工艺造成的半导体硅片不良率高，实现了不同厚度半导体单晶硅片切割完毕后自动脱胶技术，并能保证硅片表面无花片，崩边、缺口等不良。