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电纺法制备一维石墨烯/半导体纳米线复合光阳极的方法
编号:S000018827 刷新日期: 有效日期至:2021-01-06 浏览:2436 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
电纺法制备一维石墨烯/半导体纳米线复合光阳极的方法,将氧化石墨烯乙醇溶液均匀掺杂与半导体纺丝溶液中,运用静电纺丝技术制备出掺杂有氧化石墨烯的半导体复合纤维结构,将上述结构置于惰性气体中高温烧结得到半导体石墨烯一维复合结构。将纳米线混在商业化的半导体颗粒中涂于导电玻璃表面,得到具有更高光生电流的复合光阳极结构。掺杂有石墨烯的半导体一维纳米线提高了纯光阳极的光生电流,且降低了界面电阻,对今后太阳能电池的发展具有长远的意义。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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