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半导体封装及其形成方法
编号:S000018818 刷新日期: 有效日期至:2020-12-27 浏览:3086 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体封装及其形成方法。在一个实施例中,一种形成半导体封装的方法包括:将第一裸片和第二裸片设置在载体上方。用封装材料覆盖第一裸片和第二裸片中的至少一者,以形成具有顶表面和相对的底表面的封装件。使封装件从底表面开始薄化,以露出第一裸片的第一表面而不露出第二裸片。选择性地蚀刻第一裸片的露出的第一表面,以露出第一裸片的第二表面。形成背面导电层,以接触第一表面。通过封装件的第一部分使第二裸片与背面导电层分离。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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