本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明采用低温工艺制备栅控二极管半导体存储器器件，工艺过程简单、制造成本低，而且所制造的栅控二极管存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点。本发明所提出的栅控二极管半导体存储器器件的制造方法特别适用于平板显示、浮栅存储器以及基于柔性衬底的存储器器件的制造中。