本发明公开了一种采用石蜡外边框掩膜法制备太阳电池的方法，包括下述步骤：（1）制绒硅片形成光陷阱表面；（2）在绒面上扩散掺杂形成PN结；（3）在扩散面上打印上起掩蔽作用的石蜡掩膜；（4）在覆盖掩膜的片子上覆盖水膜；（5）利用化学液去除硅片周边和背面多余的PN结；（6）利用化学液对硅片表面进行刻蚀；（7）去除石蜡掩膜；（8）磷硅玻璃的去除；（9）镀氮化硅膜；（10）印刷背面电极和背场；（11）在石蜡掩膜对应位置处印刷银电极；（12）烧结，测试电性能。本发明采用上述方法制备太阳电池时，能有效避免水膜覆盖不良而影响硅片质量的问题，同时还能确保银电极的印刷位置精确对准，从而提升电池片的转换效率。