本发明提供一种碳化硅半导体元件，其具备：位于第1导电型的漂移层上的第2导电型的体区域；位于体区域上的第1导电型的杂质区域；贯通体区域及杂质区域并抵达漂移层的沟槽；配置于沟槽的表面上的栅极绝缘膜；以及配置于栅极绝缘膜上的栅电极，沟槽的表面包括第1侧面、及与第1侧面对置的第2侧面，体区域之中位于第1侧面的部分的至少一部分的第2导电型的掺杂物浓度要比体区域之中位于第2侧面的部分的第2导电型的掺杂物浓度更大。