现有的DRAM为了保持数据而需要每隔几十毫秒进行刷新工作，因此导致耗电量的增大。此外，由于频繁地切换晶体管的导通状态和截止状态，晶体管的劣化成为问题。上述问题随着存储容量增大和晶体管微型化的进展而变得明显。提供一种晶体管，该晶体管包含氧化物半导体并具有用于栅电极的沟槽及用于元件隔离的沟槽的沟槽结构。即使将源电极与漏电极之间的距离设定得较窄，通过适当地设定用于栅电极的沟槽的深度，可以抑制短沟道效应。