本发明揭示了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有至少一第一埋层窗口和至少一第二埋层窗口；阻挡层，位于所述第一埋层窗口上；保护层，位于所述阻挡层旁的所述衬底上；中间层，位于所述第一外延层上，所述保护层的上表面和所述阻挡层的上表面的相接处具有一第一台阶差，所述第一台阶差形成一对比窗口；外延层，位于所述阻挡层和所述保护层以外的所述衬底上，所述外延层具有所述第二埋层窗口经外延生长后的外延窗口。本发明还揭示了该半导体器件的制备方法，采用本发明的半导体器件测量外延漂移量和外延畸变量，测试精度高并且步骤简单。